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争抢1xnm代工商机晶圆厂决战FinFE

2019/08/15 来源:深圳信息港

导读

鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14奈米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投

  鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14奈米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。

  FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14奈米市场商机,并建立10奈米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势,让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。

  鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题,并提高电子移动率,因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗,现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的途径。一线大厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米FinFET量产脚步,抢先圈地市场商机。

  其中,IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。

  缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

  由于各家厂商均将FinFET视为下一阶段的制程布局重点,且迈入16/14奈米的起跑点相当靠近,可望打破台积电在28奈米制程一支独秀的局面,使晶圆厂之间的竞争态势更加激烈且胶着。

  联华电子市场行销处处长黄克勤表示,14或16奈米FinFET对晶圆代工厂而言系重大技术革新,无论是立体电晶体结构设计、材料掺杂比例、温度和物理特性掌握的难度均大幅攀升;尤其在BEOL方面,要在短时间内将金属导线制程微缩至1x奈米的密度相当不容易,因此各家晶圆厂遂计划在晶圆前段闸极制程(FEOL)先一步导入FinFET,并沿用20奈米BEOL方案,以缩短开发时程和减轻投资负担。

  其中,联电、格罗方德和三星已先后在2012年与IBM签订14奈米FinFET合作计划,并分别预定于2014年底~2015年,以14奈米FinFET FEOL混搭20奈米MEOL/BEOL的方式导入量产。

  黄克勤认为,混搭方案将是推进半导体制程提早1年演进到1x奈米FinFET的关键布局,不仅能加速设计与测试流程,亦有助控制成本,预估晶圆代工业者初期都将采用此一架构,待技术日益成熟后才会全面升级为纯16或14奈米制程。现阶段,联电已授权引进IBM在半导体材料研究方面的Know-how与技术支援,将用来优化自行研发的14和20奈米混搭制程,将于2015年正式投产。

  格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁Mike Noonen也强调,该公司将于2014年底抢先业界推出14nm-XM制程,可充分利用现有20奈米设备和技术资源,降低FinFET研发和制造成本,并简化客户新一代处理器的设计难度,尽速实现以立体电晶体结构减轻闸极漏电流的目标,进而延伸摩尔定律(Moore s Law)至新境界。

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